RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3360
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link