RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link