RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link