RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link