RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
48
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2431
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link