RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
8.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link