RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 56
    Около 57% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 9.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2294

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Сравнения RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
модули RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
модули RAM