RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link