RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link