RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link