Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 6.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 24

Около -4% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 23
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 14.7
Скорость записи, Гб/сек

12.5 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 2231

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM