RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2176
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link