RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link