RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link