RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link