RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3172
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link