RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link