RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link