RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link