RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
81
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
81
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link