RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2935
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link