RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link