RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link