RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link