RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link