RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2642
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link