RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2642
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link