RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3456
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link