RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link