RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link