RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link