RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link