RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link