RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link