RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link