RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link