RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 24
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.6 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    18.8 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 19.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 18.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4095

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
модули RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
модули RAM