RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link