RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link