RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link