RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link