RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link