RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link