RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link