RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link