RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link