RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link