RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2003
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link