RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link