RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link