Intel 99P5471-013.A00LF 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

-->

Средняя оценка

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Причины выбрать
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 14.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 67

Около -139% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.6 3,554.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 28
Скорость чтения, Гб/сек

5,284.9 14.4
Скорость записи, Гб/сек

3,554.4 8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1014 2489

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Intel 99P5471-013.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM