Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 86

Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.2 5.7

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.1 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 86
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 12.1
Скорость записи, Гб/сек

6.2 5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1411 1220

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9905624-022.A00G 8GB

Kingston 9905624-022.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

модули RAM