RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link