RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
20.5
Скорость записи, Гб/сек
6.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
3649
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Сравнения RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link