RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2786
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link