RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2925
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link