RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2427
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link