RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2605
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link